IRLZ34NLPBF
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IRLZ34NLPBF中文资料
电子元器件
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IRLZ34NLPBF
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035?? , ID = 30A )
IRF
International Rectifier
11 Pages
297.98 Kbytes
IRLZ34NLPBF参数资料
电子元器件
参数资料
IRLZ34NLPBF
功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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IRLZ34NLPBF
深圳市佳斯泰科技有限公司
廖小姐
13410012158
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TO-262
11+
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IRLZ34NLPBF
北京元坤伟业科技有限公司
刘先生
010-62104931
原厂品牌
原厂标准封装
14+
20000
IRLZ34NLPBF
深圳市德力诚信科技有限公司
王小姐
13969210552
International Rectifier
标封
14+
5000
IRLZ34NLPBF
深圳市柏新电子科技有限公司
林小姐//方先生
0755-88377780
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TO-262
2012+
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IRLZ34NLPBF
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
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Infineon Technologies Americas Corp.
TO-262
15+
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甄芯网
柯先生/赵小姐
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TO-262
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李先生
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深圳市迈的特电子有限公司
陈小姐
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原厂
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10000
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深圳市柏新电子有限公司
林小姐/方先生
0755-88377780
IR
TO-262
2013
2350
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