ISL9N307AP3

ISL9N307AP3中文资料

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• ISL9N307AP3
• N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs
• FAIRCHILD
  Fairchild Semiconductor
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ISL9N307AP3参数资料

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• 参数资料

• ISL9N307AP3
• 功能描述：MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

ISL9N307AP3供应商

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• ISL9N307AP3
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 王
  18724450645
• TE Connectivity
• 原厂标准封装
• 2014
• 3000

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• 深圳市深创辉科技有限公司
• 徐小姐
  0755-83203120-822
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• 深圳市卓泰丰科技有限公司
• 陈喜玲 只做原装正品(节假日不休)
  0755-82715229
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• TO-220AB
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• 13+
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• 曾先生,张小姐
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• 深圳市勇越胜电子
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  0755-82509250
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• 25000

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• 深圳市向安科技有限公司
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• TO-220AB
• 14+
• 13500

• ISL9N307AP3
• 深圳市飞赛思科技有限公司
• 刘小娥
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• FAICHILD
• TO-220
• 11+
• 5000

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• 深圳市深创辉科技有限公司
• 舒小姐
  755-83203120-823，18319039176
• FAIRCHILD
• DIP
• 14+
• 56000

• ISL9N307AP3
• 潇湘伟业（深圳）电子有限公司
• 肖先生/雷先生
  13266767207
• FAIRCHILD
• TO220
• 13+
• 6651