LPT16ED

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• LPT16ED
• 30 GHz SiGe Bipolar Transistor Final
• SIGE
  SiGe Semiconductor, Inc.
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LPT16ED参数资料

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• LPT16ED
• 功能描述：TRANSISTOR NPN BIPOLAR SIGE；RoHS：是；类别：分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)；系列：-；产品变化通告：Product Discontinuation 17/Dec/2010；标准包装：1；系列：-；晶体管类型：NPN；电压 - 集电极发射极击穿（最大）：4.7V；频率 - 转换：47GHz；噪声系数（dB典型值@频率）：0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz；增益：9dB ~ 31dB；功率 - 最大：160mW；在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：160 @ 25mA，3V；电流 - 集电极 (Ic)（最大）：45mA；安装类型：表面贴装；封装/外壳：4-SMD，扁平引线；供应商设备封装：4-TSFP；包装：Digi-Reel®；其它名称：BFP 740FESD E6327DKR；

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