NDS352P
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NDS352P中文资料
电子元器件
功能描述
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NDS352P
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FAIRCHILD
Fairchild Semiconductor
6 Pages
78.91 Kbytes
NDS352P参数资料
电子元器件
参数资料
NDS352P
功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 20V;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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