NE650103M
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NE650103M中文资料
电子元器件
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NE650103M
10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
CEL
California Eastern Labs
7 Pages
259.51 Kbytes
NE650103M-A
10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
CEL
California Eastern Labs
7 Pages
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NE650103M参数资料
电子元器件
参数资料
NE650103M
功能描述:射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A;RoHS:否;制造商:TriQuint Semiconductor;技术类型:pHEMT;频率:500 MHz to 3 GHz;增益:10 dB;噪声系数:;正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S;漏源电压 VDS:;闸/源击穿电压:- 8 V;漏极连续电流:3 A;最大工作温度:+ 150 C;功率耗散:10 W;安装风格:;封装 / 箱体:;
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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13+
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NE650103M-A
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销售部经理:马先生
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CEL
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NE650103M
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徐玛莉
0755-82566736
CEL
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15
5855
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廖小姐
18998919871
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2014+
9999999
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深圳市赛恒电子科技有限公司
曾先生,张小姐
0755-23604337
NEC
3M
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深圳市动能世纪科技有限公司
肖小姐
18025394304
NEC
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236
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深圳市凯龙高科电子技术有限公司
谭工
0755-83754250
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514
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制一部张太华
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深圳市恒腾龙科技有限公司
陈先生
0755-61337701
NEC
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15+
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深圳市虹芯微科技有限公司
欧先生
0755-83533209
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