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NE650103M中文资料

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  • NE650103M
  • 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
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    California Eastern Labs
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  • 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET
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NE650103M参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NE650103M
  • 功能描述:射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A;RoHS:否;制造商:TriQuint Semiconductor;技术类型:pHEMT;频率:500 MHz to 3 GHz;增益:10 dB;噪声系数:;正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S;漏源电压 VDS:;闸/源击穿电压:- 8 V;漏极连续电流:3 A;最大工作温度:+ 150 C;功率耗散:10 W;安装风格:;封装 / 箱体:;

NE650103M供应商

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  • 十字架
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  • NE650103M-A
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
    0755-83350789
  • CEL
  • 3M
  • 15+
  • 25000
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  • 深圳市永贝尔科技有限公司
  • 徐玛莉
    0755-82566736
  • CEL
  • 原厂原包
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  • 深圳市华诺星科技有限公司
  • 廖小姐
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  • California Eastern Laboratories
  • 2014+
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  • 深圳市赛恒电子科技有限公司
  • 曾先生,张小姐
    0755-23604337
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  • 深圳市动能世纪科技有限公司
  • 肖小姐
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  • NEC
  • 3M
  • 14+
  • 236
  • NE650103M
  • 深圳市凯龙高科电子技术有限公司
  • 谭工
    0755-83754250
  • NEC
  • 标准封装
  • 514
  • NE650103M
  • 深圳市宝隆宏业科技有限公司
  • 制一部张太华
    0755-83157460
  • NEC
  • 3M
  • 14+
  • 5000
  • NE650103M
  • 深圳市恒腾龙科技有限公司
  • 陈先生
    0755-61337701
  • NEC
  • 3M
  • 15+
  • 21582
  • NE650103M
  • 深圳市虹芯微科技有限公司
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    0755-83533209
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