NE76118-T1

NE76118-T1中文资料

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• NE76118-T1
• L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
• NEC
  NEC
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• 8 Pages
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• NE76118-T1
• GaAs MESFET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER
• NEC
  NEC
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• 4 Pages
• 32.58 Kbytes

NE76118-T1参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NE76118-T1
• 功能描述：MOSFET DISC BY CEL 1/02 SOT-343 GP MESFET；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NE76118-T1供应商

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• 批号
• 数量

• NE76118-T1
• 深圳市荣泽信电子科技有限公司
• 荣泽信－晏S
  18028731859
• NEC
• SOT343
• 15+
• 10000

• NE76118-T1
• 中山市翔美达电子科技有限公司
• 朱小姐
  15502070655
• National(国半)
• SOT343
• 11+
• 6000

• NE76118-T1
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• NEC
• SOT343
• 1213+
• 2400

• NE76118-T1
• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
• NEC
• SOT-343
• 15000

• NE76118-T1-A
• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
• NEC
• SOT343
• 2013+
• 1300

• NE76118-T1
• 
  
• NEC
• SOT343
• 最新批次
• 112380

• NE76118-T1
• 深圳市永德川科技有限公司
• 陈小姐
  15999608533
• NEC
• SOT-343
• 2011
• 5000

• NE76118-T1
• 深圳市一线半导体有限公司
• 谢S,柯S,陈S、林S、曾S
  0755-88608801
• NEC
• SOT343
• 12+
• 46650

• NE76118-T1
• 深圳市华诺星科技有限公司
• 廖小姐
  18998919871
• California Eastern Laboratories
• SOT-343
• 2014+
• 3000

• NE76118-T1
• 深圳市赛恒电子科技有限公司
• 曾先生,张小姐
  0755-23604337
• NEC ELECTRONICS
• N/A
• 1513+
• 9120