NE960R575

NE960R575中文资料

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• NE960R575
• 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
• NEC
  NEC
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• NE960R575
• 0.5W X, Ku-BAND POWER GaAs FET
• NEC
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• NE960R575_01
• 0.5W X, Ku-BAND POWER GaAs FET
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NE960R575参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NE960R575
• 功能描述：MOSFET X KU Band MESFET；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NE960R575供应商

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• NE960R575
• 深圳市华诺星科技有限公司
• 廖小姐
  18998919871
• California Eastern Laboratories
• 2014+
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• 深圳市凯龙高科电子技术有限公司
• 谭工
  0755-83754250
• NEC
• 标准封装
• 10

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• 深圳市赛恒电子科技有限公司
• 张先生
  0755--82545277
• NEC
• 1523+
• 6500

• NE960R575
• 上海市鑫鸿达电子技术有限公司
• 陈小姐 付先生
  021-51872153
• NEC
• 新
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• 12+
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