NESG2101M05

NESG2101M05中文资料

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• NESG2101M05
• NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
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• NESG2101M05-A
• NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW
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• NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR
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• NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW
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NESG2101M05参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NESG2101M05
• 功能描述：射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq；RoHS：否；制造商：Infineon Technologies；发射极 - 基极电压 VEBO：；集电极连续电流：；功率耗散：；安装风格：；封装 / 箱体：；封装：Reel；

NESG2101M05供应商

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• 中山市翔美达电子科技有限公司
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• 6000

• NESG2101M05-A
• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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  0755-23302980
• NEC
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