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NTB18N06G中文资料
电子元器件
功能描述
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NTB18N06G
Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK
ONSEMI
ON Semiconductor
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NTB18N06G参数资料
电子元器件
参数资料
NTB18N06G
功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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D2PAK
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