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NTD18N06LT4中文资料

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NTD18N06LT4参数资料

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  • NTD18N06LT4
  • 功能描述：MOSFET 60V 18A N-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTD18N06LT4供应商

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  • NTD18N06LT4
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
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  • 彭先生
    0755-83041559
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    0755-83350789
  • ON Semiconductor
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  • NTD18N06LT4
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
    0755-83350789
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  • NTD18N06LT4
  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
    0755-83665813
  • ONS
  • DPAK
  • 08+
  • 20000
  • NTD18N06LT4G
  • 集好芯城
  • 陈先生13360533550
    0755-83867989
  • ON
  • SMD
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  • NTD18N06LT4G
  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
    83617149
  • ON-SEMI
  • 20000
  • NTD18N06LT4G
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
  • ON
  • DPAK 4 LEAD SINGLE G
  • 14+
  • 9531
  • NTD18N06LT4G
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 王
    18724450645
  • TE Connectivity
  • 原厂标准封装
  • 2014
  • 3000
  • NTD18N06LT4G
  • 深圳市思诺康科技有限公司
  • 张小姐/Vivianvi
    0755-83286481
  • ONS
  • 2500
  • 13/14+
  • 2135