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NTD3055L104G中文资料

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NTD3055L104G参数资料

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  • NTD3055L104G
  • 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTD3055L104G供应商

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  • 深圳市硅宇电子有限公司
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  • NTD3055L104G
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  • 彭小姐、刘先生、李小姐
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  • NTD3055L104G
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  • DPAK 4 LEAD SINGLE G
  • 14+
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  • NTD3055L104G
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  • NTD3055L104G
  • 北京天阳诚业科贸有限公司
  • 洪先生
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  • NTD3055L104G
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
  • 荣泽信-晏S
    18028731859
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  • 10000
  • NTD3055L104G
  • 深圳市高创鑫电子科技有限公司
  • 曾小姐
    0755-23302980
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  • NTD3055L104G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
    0755-83350789
  • ON Semiconductor
  • DPAK
  • 15+
  • 25000
  • NTD3055L104G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理:马先生
    0755-83350789
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  • 14+
  • 5100
  • NTD3055L104G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • 201311+
  • 6550