NTD4909NT4G

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• NTD4909NT4G
• Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NTD4909NT4G参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NTD4909NT4G
• 功能描述：MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 销售部经理：马先生
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• 深圳市远晨电子有限公司
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• ON Semiconductor
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• 11+
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