NTD5867NLT4G

NTD5867NLT4G中文资料

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• NTD5867NLT4G
• N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NTD5867NLT4G参数资料

• 电子元器件
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• NTD5867NLT4G
• 功能描述：MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 深圳旭亨半导体有限公司
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  0755-23618143
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