NTHD5903T1G

NTHD5903T1G中文资料

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• NTHD5903T1G
• Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel ChipFET
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NTHD5903T1G参数资料

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• NTHD5903T1G
• 功能描述：MOSFET -20V -3A Dual P-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 王
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• 刘小姐(进口原装 品质保证)
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• ONSEMI
• ChipFET8
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• 深圳市华诺星科技有限公司
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• 深圳市迈的特电子有限公司
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• 1133

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• 深圳市杭湘棋科技有限公司
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• 8000

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• 深圳山琅电子科技有限公司
• 山琅电子
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• ChipFET-8
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• 66000