NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G中文资料

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• NTJD4105CT1G
• Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, 0.63 A / −0.775 A, SC−88
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NTJD4105CT1G参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NTJD4105CT1G
• 功能描述：MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• NTJD4105CT1G
• 深圳市时兴宇电子有限公司
• 彭先生
  0755-83041559
• ON
• SOT363
• 11+
• 8900

• NTJD4105CT1G
• 深圳市荣泽信电子科技有限公司
• 荣泽信－晏S
  18028731859
• ON
• 15+
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