NTLJS3113PT1G
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NTLJS3113PT1G中文资料
电子元器件
功能描述
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NTLJS3113PT1G
Power MOSFET −20 V, −7.7 A, uCool TM Single 2x2 mm, WDFN Package
ONSEMI
ON Semiconductor
6 Pages
79.34 Kbytes
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NTLJS3113PT1G参数资料
电子元器件
参数资料
NTLJS3113PT1G
功能描述:MOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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ON
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NTLJS3113PT1G
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林小姐/欧阳先生
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ON
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王
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彭先生
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on
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深圳市荣泽信电子科技有限公司
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NTLJS3113PT1G
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
0755-83350789
ON Semiconductor
6-WDFN(2x2)
15+
25000
NTLJS3113PT1G
深圳市亚泰盈科电子有限公司
郑小姐
15338868823
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WDFN-6
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