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NTMD6N02R2G中文资料

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NTMD6N02R2G参数资料

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  • NTMD6N02R2G
  • 功能描述：MOSFET NFET 20V 0.035R TR；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMD6N02R2G供应商

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  • 陈先生13360533550
    0755-83867989
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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  • O
  • SO-8
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  • NTMD6N02R2G
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  • 彭小姐、刘先生、李小姐
    0755-82552857-809
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  • NTMD6N02R2G
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
  • 荣泽信－晏S
    18028731859
  • ON
  • 15+
  • 10000
  • NTMD6N02R2G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • ON Semiconductor
  • 8-SOIC N
  • 15+
  • 195650
  • NTMD6N02R2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 王金英
    077-8326952815602945519
  • 15+
  • 8000
  • NTMD6N02R2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 王金英
    077-8326952815602945519
  • 15+
  • 8000
  • NTMD6N02R2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 雷春艳
    19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
  • ON
  • ROHS
  • 13+
  • 2100
  • NTMD6N02R2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 史仙雁
    19129911934（手机优先微信同号）
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