NTMS10P02R2G

NTMS10P02R2G中文资料

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• NTMS10P02R2G
• Power MOSFET −10 Amps, −20 Volts P−Channel Enhancement−Mode
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NTMS10P02R2G参数资料

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• NTMS10P02R2G
• 功能描述：MOSFET 20V 10A P-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMS10P02R2G供应商

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• 98125

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• SO-8
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• 北京京华特科技有限公司
• 张小姐/韩先生
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