NTMS4917NR2G

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• NTMS4917NR2G
• Power MOSFET 30 V, 10.5 A, Na??Channel, SOa??8 Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• ONSEMI
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NTMS4917NR2G参数资料

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• NTMS4917NR2G
• 功能描述：MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 深圳市远晨电子有限公司
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• 深圳旭亨半导体有限公司
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  0755-23618143
• ON
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