NTMSD3P303R2G
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NTMSD3P303R2G中文资料
电子元器件
功能描述
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NTMSD3P303R2G
P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package
ONSEMI
ON Semiconductor
9 Pages
202.68 Kbytes
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NTMSD3P303R2G参数资料
电子元器件
参数资料
NTMSD3P303R2G
功能描述:MOSFET -30V -3.05A P-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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O
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SOP8
06+
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15019239397
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ON
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10000
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何艳18923719180
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ON原装
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