NTZS3151PT1G
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NTZS3151PT1G中文资料
电子元器件
功能描述
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NTZS3151PT1G
Small Signal MOSFET −20 V, −950 mA, P−Channel SOT−563
ONSEMI
ON Semiconductor
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NTZS3151PT1G参数资料
电子元器件
参数资料
NTZS3151PT1G
功能描述:MOSFET -20V -950mA P-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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NTZS3151PT1G
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售经理:马先生
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