NUS3116MTR2G
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NUS3116MTR2G中文资料
电子元器件
功能描述
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NUS3116MTR2G
Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT
ONSEMI
ON Semiconductor
10 Pages
178.74 Kbytes
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NUS3116MTR2G参数资料
电子元器件
参数资料
NUS3116MTR2G
功能描述:MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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83617149
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8-WDFN 裸露焊盘
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80008
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19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
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N/A 全新进口
2500
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ON
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