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NVB6412ANT4G中文资料

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  • NVB6412ANT4G
  • N-CHANNEL POWER MOSFET
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
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NVB6412ANT4G参数资料

  • 电子元器件
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  • NVB6412ANT4G
  • 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NVB6412ANT4G供应商

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