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NVD5117PLT4G中文资料

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  • NVD5117PLT4G
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NVD5117PLT4G参数资料

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  • NVD5117PLT4G
  • 功能描述:MOSFET 60V T1 PCH DPAK;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NVD5117PLT4G供应商

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    0755-83047629
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  • 深圳市朱博士电子科技有限公司
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  • NVD5117PLT4G
  • 深圳市朱博士电子科技有限公司
  • 林先生
    0755-83261372
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