NVTR01P02LT1G

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• NVTR01P02LT1G
• Power MOSFET a??20 V, a??1.3 A, Pa??Channel SOTa??23 Package Packages are Available
• TYSEMI
  TY Semiconductor Co., Ltd
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NVTR01P02LT1G参数资料

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• NVTR01P02LT1G
• 功能描述：MOSFET PFET 20V 0.160R TR；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 深圳市朱博士电子科技有限公司
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• 林先生
  0755-83261372
• On Semiconductor
• N/A
• 15+
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• 深圳市亿力科技有限公司
• 柯先生
  0755-83980422
• ON
• SOT-23
• 2015+ROSH
• 39000

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• 深圳市恒连丰科技有限公司
• 吴先生
  13632970763
• ON Semiconductor
• 原厂标准封装
• 2015
• 30000

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• 深圳市科海特电子商行
• 陈海钦
  0755-82539698
• ON
• SOT-23-3
• 12+PBF
• 20000