NYC222STT1G

NYC222STT1G中文资料

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• NYC222STT1G
• Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
• ONSEMI
  ON Semiconductor
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NYC222STT1G参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NYC222STT1G
• 功能描述：SCR SENSITIVE GATE SCR；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；最大转折电流 IBO：480 A；额定重复关闭状态电压 VDRM：600 V；关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）：5 uA；开启状态 RMS 电流 (It RMS)：；正向电压下降：1.6 V；栅触发电压 (Vgt)：1.3 V；最大栅极峰值反向电压：5 V；栅触发电流 (Igt)：35 mA；保持电流（Ih 最大值）：75 mA；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：TO-220；封装：Tube；

NYC222STT1G供应商

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