RF1S640SM

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• RF1S640SM
• 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
• FAIRCHILD
  Fairchild Semiconductor
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RF1S640SM参数资料

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• RF1S640SM
• 功能描述：MOSFET N-Ch Power MOSFET 200V/18a/0.180 Ohm ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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