T835-600H
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T835-600H中文资料
电子元器件
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T835-600H
Snubberlessa?¢, logic level and standard 8 A Triacs
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
12 Pages
151.88 Kbytes
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T835-600H-TR
Snubberlessa?¢, logic level and standard 8 A Triacs
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
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T835-600H参数资料
电子元器件
参数资料
T835-600H
功能描述:IGBT 晶体管 Snubberless Logic Lv Standard 8A Triac;RoHS:否;制造商:Fairchild Semiconductor;配置:;集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V;集电极—射极饱和电压:2.3 V;栅极/发射极最大电压:20 V;在25 C的连续集电极电流:150 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:187 W;最大工作温度:;封装 / 箱体:TO-247;封装:Tube;
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李洁/廖R
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20000
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李小姐
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ST
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林兴标
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STMicroelectronics
TRIAC 8A 35MA 600V IPAK
15+
50354
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北京京北通宇电子元件有限公司
吴潇潇
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STMicro
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原厂封装
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芯科国际电子有限公司
申小姐
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STMicroelectronics
N/A
13+
20705
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深圳市凯翔伟业电子有限公司
杨/S
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STM
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14+
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