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TC55VBM416AFTN55中文资料

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  • TC55VBM416AFTN55
  • 1,048,576-WORD BY 16-BIT/2,097,152-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM
  • TOSHIBA
    Toshiba Semiconductor
  • TOSHIBA
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TC55VBM416AFTN55参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • TC55VBM416AFTN55
  • 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48TSOP;RoHS:否;类别:集成电路 (IC) >> 存储器;系列:-;标准包装:576;系列:-;格式 - 存储器:闪存;存储器类型:闪存 - NAND;存储容量:512M(64M x 8);速度:-;接口:并联;电源电压:2.7 V ~ 3.6 V;工作温度:-40°C ~ 85°C;封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);供应商设备封装:48-TSOP;包装:托盘;其它名称:497-5040;

TC55VBM416AFTN55供应商

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  • Toshiba
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  • TC55VBM416AFTN55
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  • 销售部:马先生
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  • 深圳市胜彬电子有限公司
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  • 7680
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  • 深圳市腾翔顺科技有限公司
  • 张小姐
    0755-88999286
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  • TC55VBM416AFTN55
  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • Toshiba
  • 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
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