ULN2003AIDR

ULN2003AIDR中文资料

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• HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS
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ULN2003AIDR参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• ULN2003AIDR
• 功能描述：达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array；RoHS：否；制造商：Texas Instruments；配置：Octal；晶体管极性：NPN；集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V；发射极 - 基极电压 VEBO：；集电极—基极电压 VCBO：；最大直流电集电极电流：0.5 A；最大集电极截止电流：；功率耗散：；最大工作温度：+ 150 C；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：SOIC-18；封装：Reel；

ULN2003AIDR供应商

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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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