VB20120C

VB20120C中文资料

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• VB20120C
• Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 5 Pages
• 167.06 Kbytes

• VB20120C-E3/4W
• Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 5 Pages
• 167.06 Kbytes
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• VB20120C-E3/4W
• Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
• VISHAY
  Vishay Siliconix
• 
• 5 Pages
• 163.15 Kbytes
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• VB20120C-E3/8W
• Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
• VISHAY
  Vishay Siliconix
• 
• 5 Pages
• 167.06 Kbytes

• VB20120C-E3/8W
• Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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VB20120C参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• VB20120C
• 制造商：VISHAY；制造商全称：Vishay Siliconix；功能描述：Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A；

VB20120C供应商

• 电子元器件
• 供应商
• 联系方式
• 品牌
• 封装
• 批号
• 数量

• VB20120C-E3
• 北京力通科信电子有限公司
• 韩小姐
  13661385246
• VIS
• TO-263AB
• 12+
• 5000

• VB20120C-E3/4W
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
• Vishay
• 标封
• 14+
• 5000

• VB20120C-E3/4W
• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
• 曾小姐
  0755-23302980
• Vishay
• a/n
• 15+
• 36000

• VB20120C-E3/4W
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Vishay Semiconductor Diodes Division
• TO-263AB
• 15+
• 25000

• VB20120C-E3/4W
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
• VISHAY
• TO-263AB
• 1425
• 4556

• VB20120C-E3/8W
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Vishay Semiconductor Diodes Division
• TO-263AB
• 15+
• 25000

• VB20120C-E3/8W
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
• VISHAY
• TO-263AB
• 1425
• 4556

• VB20120C-M3/4W
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Vishay Semiconductor Diodes Division
• 15+
• 25000

• VB20120C-M3/4W
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
• VISHAY
• 1425
• 4556

• VB20120C-M3/8W
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Vishay Semiconductor Diodes Division
• 15+
• 25000