VP2206N3

VP2206N3中文资料

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• VP2206N3
• P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
• SUTEX
  Supertex, Inc
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VP2206N3参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• VP2206N3
• 功能描述：MOSFET 60V 0.9Ohm；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

VP2206N3供应商

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• 销售部经理：马先生
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• 15+
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• 林小姐/方先生
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