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ZXMHC3A01N8TC中文资料

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  • ZXMHC3A01N8TC
  • 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
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ZXMHC3A01N8TC参数资料

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  • ZXMHC3A01N8TC
  • 功能描述:MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

ZXMHC3A01N8TC供应商

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  • ZXMHC3A01N8TC
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 王金英
    077-8326952815602945519
  • 15+
  • 8000
  • ZXMHC3A01N8TC
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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  • DIO
  • 2014+
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