ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC中文资料

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• ZXMHC3A01N8TC
• 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
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  Diodes Incorporated
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ZXMHC3A01N8TC参数资料

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• 参数资料

• ZXMHC3A01N8TC
• 功能描述：MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
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• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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  0755-23302980
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• SOP-8L
• 15+
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• 王金英
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• 15+
• 8000

• ZXMHC3A01N8TC
• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
• 陈小姐
  13428937514
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• 2014+
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