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ZXMN3A04DN8TC中文资料

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ZXMN3A04DN8TC参数资料

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  • ZXMN3A04DN8TC
  • 功能描述:MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

ZXMN3A04DN8TC供应商

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  • ZXMN3A04DN8TC
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  • 销售部经理:马先生
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  • Diodes Incorporated
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  • ZXMN3A04DN8TC
  • 深圳市和诺泰科技有限公司
  • 曾先生/雷小姐/何小姐
    0755-82810280
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  • 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
  • 朱先生
    0755-8281200482811605
  • ZETEX
  • SOP8
  • 14+
  • 80000
  • ZXMN3A04DN8TC
  • 深圳市明锐微科技有限公司
  • 李先生
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