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ZXT10N20DE6TA中文资料

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  • ZXT10N20DE6TA
  • 20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
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  • ZXT10N20DE6TA
  • 20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
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ZXT10N20DE6TA参数资料

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  • 功能描述:两极晶体管 - BJT 20V NPN SuperSOT4;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;配置:;晶体管极性:PNP;集电极—基极电压 VCBO:;集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V;发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V;集电极—射极饱和电压:;最大直流电集电极电流:;增益带宽产品fT:;直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A;最大工作温度:;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2;

ZXT10N20DE6TA供应商

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  • Diodes Incorporated
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  • ZXT10N20DE6TA
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  • 陈小姐
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  • 深圳市恒佳微电子有限公司
  • 何艳18923719180
    0755-82710336
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