买卖IC网 >> 中文资料第3883页 >> 2N6076(SILICON PNP小信号晶体管)

2N6076中文资料

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2N6076参数资料

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  • 功能描述：两极晶体管 - BJT PNP 25V 10mA 500hfe；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；配置：；晶体管极性：PNP；集电极—基极电压 VCBO：；集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V；发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V；集电极—射极饱和电压：；最大直流电集电极电流：；增益带宽产品fT：；直流集电极/Base Gain hfe Min：100 A；最大工作温度：；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：PowerFLAT 2 x 2；

2N6076供应商

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    17862669251
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • Fairchild Semiconductor
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  • GE
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  • 科创特电子（香港）有限公司
  • 柯
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • Fairchild Semiconductor
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  • 2N6076_D27Z
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • Fairchild Semiconductor
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  • 15+
  • 3000
  • 2N6076_D75Z
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • 李先生
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  • C
  • TO-92
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  • 深圳市永贝尔科技有限公司
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