买卖IC网 >> 中文资料第3908页 >> 2N7002(N沟道增强型场效应晶体管)

2N7002中文资料

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2N7002参数资料

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  • 参数资料
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  • 功能描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 115mA；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

2N7002供应商

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  • 张育豪 13360528695
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  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
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  • 深圳市思诺康科技有限公司
  • 张小姐/Vivianvi
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  • FAIRCHILD
  • ORG
  • 13/14+
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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
  • 廖小姐
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  • TO-236AB
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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
  • 彭小姐、刘先生、李小姐
    0755-82552857-809
  • NXP
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