买卖IC网 >> 中文资料第3913页 >> 2N7008-G(N沟道增强模式垂直DMOS场效应管)

2N7008-G中文资料

  • 电子元器件
  • 中文功能描述
  • 生产厂商
  • 品牌LOGO
  • 页数
  • 文件大小
  • PDF文件
  • 2N7008-G
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • SUTEX
    Supertex, Inc
  • SUTEX
  • 3 Pages
  • 394.35 Kbytes
  • 2N7008_07
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • SUTEX
    Supertex, Inc
  • SUTEX
  • 3 Pages
  • 394.35 Kbytes
  • 2N7012
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • ETC1
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC1
  • 4 Pages
  • 368.85 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N7013
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • ETC1
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC1
  • 4 Pages
  • 368.85 Kbytes
  • 2N703
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • CENTRAL
    Central Semiconductor Corp
  • CENTRAL
  • 1 Pages
  • 33.67 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N705
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • ETC1
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC1
  • 3 Pages
  • 245.31 Kbytes
  • 2N7051
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • FAIRCHILD
    Fairchild Semiconductor
  • FAIRCHILD
  • 4 Pages
  • 27.62 Kbytes
  • 2N7052
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • FAIRCHILD
    Fairchild Semiconductor
  • FAIRCHILD
  • 4 Pages
  • 42.72 Kbytes
  • 2N7052
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • FAIRCHILD
    Fairchild Semiconductor
  • FAIRCHILD
  • 8 Pages
  • 310.62 Kbytes
  • 2N7052_01
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • FAIRCHILD
    Fairchild Semiconductor
  • FAIRCHILD
  • 8 Pages
  • 310.62 Kbytes
  • 2N7053
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • FAIRCHILD
    Fairchild Semiconductor
  • FAIRCHILD
  • 4 Pages
  • 42.72 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N7053
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • FAIRCHILD
    Fairchild Semiconductor
  • FAIRCHILD
  • 8 Pages
  • 310.62 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N7053
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • NJSEMI
    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
  • NJSEMI
  • 1 Pages
  • 92.83 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N705A
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • ETC1
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC1
  • 3 Pages
  • 245.31 Kbytes
  • 2N706A
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • SEME-LAB
    Seme LAB
  • SEME-LAB
  • 1 Pages
  • 10.37 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N706C
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • CENTRAL
    Central Semiconductor Corp
  • CENTRAL
  • 1 Pages
  • 33.67 Kbytes
  • 2N708
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • CENTRAL
    Central Semiconductor Corp
  • CENTRAL
  • 1 Pages
  • 33.67 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N708
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • MICROSEMI
    Microsemi Corporation
  • MICROSEMI
  • 2 Pages
  • 55.71 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N708
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • NJSEMI
    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
  • NJSEMI
  • 2 Pages
  • 179.62 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N7081-220M-ISO
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • SEME-LAB
    Seme LAB
  • SEME-LAB
  • 2 Pages
  • 14.09 Kbytes
  • 2N7081220MISO
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • SEME-LAB
    Seme LAB
  • SEME-LAB
  • 2 Pages
  • 14.09 Kbytes
  • 2N7085
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • SEME-LAB
    Seme LAB
  • SEME-LAB
  • 2 Pages
  • 16.31 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N7086
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • SEME-LAB
    Seme LAB
  • SEME-LAB
  • 2 Pages
  • 14.98 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N709
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • NJSEMI
    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
  • NJSEMI
  • 1 Pages
  • 137.80 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N7091
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • SEME-LAB
    Seme LAB
  • SEME-LAB
  • 2 Pages
  • 34.10 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N709A
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • CENTRAL
    Central Semiconductor Corp
  • CENTRAL
  • 1 Pages
  • 33.67 Kbytes
  • 2N70G-TA3-T
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • UTC
    Unisonic Technologies
  • UTC
  • 6 Pages
  • 258.21 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N70G-TF1-T
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • UTC
    Unisonic Technologies
  • UTC
  • 6 Pages
  • 258.21 Kbytes
  • 2N70G-TF3-T
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • UTC
    Unisonic Technologies
  • UTC
  • 6 Pages
  • 258.21 Kbytes
  • 2N70G-TM3-T
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • UTC
    Unisonic Technologies
  • UTC
  • 6 Pages
  • 258.21 Kbytes
  • 2N70G-TN3-R
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • UTC
    Unisonic Technologies
  • UTC
  • 6 Pages
  • 258.21 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N70L-TA3-T
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • UTC
    Unisonic Technologies
  • UTC
  • 6 Pages
  • 258.21 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N70L-TF1-T
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • UTC
    Unisonic Technologies
  • UTC
  • 6 Pages
  • 258.21 Kbytes
  • 2N70L-TF3-T
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • UTC
    Unisonic Technologies
  • UTC
  • 6 Pages
  • 258.21 Kbytes
  • 2N70L-TM3-T
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • UTC
    Unisonic Technologies
  • UTC
  • 6 Pages
  • 258.21 Kbytes
  • 2N70L-TN3-R
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • UTC
    Unisonic Technologies
  • UTC
  • 6 Pages
  • 258.21 Kbytes
  • 2N710
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • ETC1
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC1
  • 3 Pages
  • 245.31 Kbytes
  • 2N710A
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • ETC1
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC1
  • 3 Pages
  • 245.31 Kbytes
  • 2N711
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • ETC1
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC1
  • 3 Pages
  • 245.31 Kbytes
  • 2N711A
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • ETC1
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC1
  • 3 Pages
  • 245.31 Kbytes
  • 2N711B
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • ETC1
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC1
  • 3 Pages
  • 245.31 Kbytes
  • 2N717
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • CENTRAL
    Central Semiconductor Corp
  • CENTRAL
  • 1 Pages
  • 33.67 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N718
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • MICRO-ELECTRONICS
    Micro Electronics
  • MICRO-ELECTRONICS
  • 1 Pages
  • 42.12 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N718
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • NJSEMI
    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
  • NJSEMI
  • 1 Pages
  • 126.84 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N718A
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • FAIRCHILD
    Fairchild Semiconductor
  • FAIRCHILD
  • 10 Pages
  • 378.47 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N718A
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • BOCA
    Boca Semiconductor Corporation
  • BOCA
  • 2 Pages
  • 127.53 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N718A
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • CENTRAL
    Central Semiconductor Corp
  • CENTRAL
  • 1 Pages
  • 33.67 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N718A
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • MICROSEMI
    Microsemi Corporation
  • MICROSEMI
  • 2 Pages
  • 59.99 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N719A
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • CENTRAL
    Central Semiconductor Corp
  • CENTRAL
  • 1 Pages
  • 33.67 Kbytes
  • PDF文件
  • 2N720
  • N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
  • STMICROELECTRONICS
    STMicroelectronics
  • STMICROELECTRONICS
  • 4 Pages
  • 42.66 Kbytes
  • PDF文件

2N7008-G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • 2N7008-G
  • 功能描述：MOSFET 60V 7.5Ohm；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

2N7008-G供应商

  • 电子元器件
  • 供应商
  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
  • 2N7008-G
  • 北京元坤伟业科技有限公司
  • 刘先生
    010-62104931
  • SUPERTEX
  • 标准封装
  • 07+
  • 3000
  • 2N7008-G
  • 北京元坤伟业科技有限公司
  • 刘先生
    010-62104931
  • SUPERTEX
  • 标准封装
  • 07+
  • 3000
  • 2N7008-G
  • 北京元坤伟业科技有限公司
  • 刘先生
    010-62104931
  • SUPERTEX
  • 标准封装
  • 07+
  • 3000
  • 2N7008-G
  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
    0755-83041559
  • Super
  • TO-92
  • 11+
  • 7650
  • 2N7008-G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • Microchip Technology
  • TO-92-3
  • 15+
  • 44775
  • 2N7008-G
  • 科创特电子（香港）有限公司
  • 柯
    0755-83014603
  • Super
  • TO-92
  • 07+
  • 446
  • 2N7008-G
  • 深圳市硅宇电子有限公司
  • 唐中秋/张三军
    0755-83679764-815
  • Super
  • TO-92
  • 1225+
  • 8312
  • 2N7008-G
  • 深圳市中联芯电子有限公司
  • 张生/陈小姐（ 可开13% 增值税发票）
    0755-82725103
  • MICROCHIP
  • sopdipqfp
  • 15+
  • 8600
  • 2N7008-G
  • 壹诺半导体（深圳）有限公司
  • 吴先生/张小姐
    0755-82762756
  • Supertex
  • 3TO-92BAG
  • 2014+
  • 17500
  • 2N7008-G
  • 深圳市柏新电子有限公司
  • 林小姐/方先生
    0755-88377780
  • Super
  • TO-92
  • 2013
  • 346