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>> AGR09130EF(130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET)
AGR09130EF中文资料
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AGR09130EF
130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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TriQuint Semiconductor
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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TriQuint Semiconductor
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AGR21090EF
130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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AGR26125E
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TRIQUINT
TriQuint Semiconductor
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AGR26125EF
130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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AGR26180EF
130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
TRIQUINT
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AGRF1000
130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
MACOM
Tyco Electronics
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AGRF1000-2
130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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Tyco Electronics
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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130 W,921兆赫,960兆赫,N沟道电子模式,横向MOSFET
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AGR09130EF参数资料
电子元器件
参数资料
AGR09130EF
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor;RoHS:否;制造商:Freescale Semiconductor;配置:Single;晶体管极性:;频率:1800 MHz to 2000 MHz;增益:27 dB;输出功率:100 W;汲极/源极击穿电压:;漏极连续电流:;闸/源击穿电压:;最大工作温度:;封装 / 箱体:NI-780-4;封装:Tray;
AGR09130EF供应商
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深圳市卓一科技有限公司二部
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TriQuint 代理
模块~高频
13+
625
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深圳德田科技有限公司
李先生
0755-83521389
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dc03
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深圳市实中创科技有限公司
王小姐(●主营内存 MCU 微控制器●)
0755-83267511
25
0
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林先生/郑小姐
0755-83201422
MOTOROLA
高频管
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