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ALD1101BSAL中文资料

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ALD1101BSAL参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • ALD1101BSAL
  • 功能描述：MOSFET Dual N-Ch FET 10.6 500mW 0.7V 10Ohm ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

ALD1101BSAL供应商

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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
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  • 深圳市海天高电子有限公司
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