买卖IC网 >> 中文资料第9627页 >> ALD110914SAL(QUAD/双N沟道增强型EPAD精密匹配对MOSFET ARRAY)

ALD110914SAL中文资料

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ALD110914SAL参数资料

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  • ALD110914SAL
  • 功能描述：MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

ALD110914SAL供应商

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • Advanced
  • 标准封装
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  • 北京华宇慧达科技有限公司
  • 郭小姐/赵小姐
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  • Advanced Linear Devices Inc
  • 原厂封装！
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  • 北京远洋华创科技有限公司
  • 杨经理
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  • 原厂封装
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  • ALD110914SAL
  • 芯科国际电子有限公司
  • 申小姐
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  • Advanced Linear Devices
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  • ALD110914SAL
  • 泰连在线科技有限公司
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