买卖IC网 >> 中文资料第10195页 >> AO4932(非对称双N沟道增强型场效应晶体管)

AO4932中文资料

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AO4932参数资料

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  • AO4932
  • 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 9A ASYM SO8;RoHS:是;类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列;系列:SRFET™;产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package;标准包装:1;系列:-;FET 型:2 个 N 沟道(双);FET 特点:逻辑电平门;漏极至源极电压(Vdss):60V;电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A;开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V;Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA;闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V;输入电容 (Ciss) @ Vds:-;功率 - 最大:1.4W;安装类型:表面贴装;封装/外壳:PowerPAK? SO-8;供应商设备封装:PowerPAK? SO-8;包装:Digi-Reel®;产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF);其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR;

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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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  • 北京京华特科技有限公司
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