CPC3703CTR
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中文资料第15506页
>> CPC3703CTR(N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管)
CPC3703CTR中文资料
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CPC3703CTR
N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管
CLARE
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CPC3703_12
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CPC3714
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N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管
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CPC5001
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IXYS
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CPC5601
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CPC5602_12
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CPC5603
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CPC5603
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CPC5603C
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CPC3703CTR参数资料
电子元器件
参数资料
CPC3703CTR
功能描述:MOSFET N Channel Depletion Mode FET, T/R, 250V SOT-89 ;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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IXYS Integrated Circuits Division
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CPC3703CTR
CLARE
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叶小姐
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IXYS Integrated Circuits Division
SOT-89
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IXYS Integrated Circuits Division
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郭小姐/赵小姐
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杨经理
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芯科国际电子有限公司
申小姐
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IXYS Integrated Circuits Division
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13+
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刘小姐
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Clare
SOT-89
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6300
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