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GA100TS60SF中文资料

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GA100TS60SF参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • GA100TS60SF
  • 功能描述:IGBT 模块 1200 Volt 100 Amp;RoHS:否;制造商:Infineon Technologies;产品:IGBT Silicon Modules;配置:Dual;集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V;集电极—射极饱和电压:1.95 V;在25 C的连续集电极电流:230 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:445 W;最大工作温度:+ 125 C;封装 / 箱体:34MM;封装:;

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  • 深圳市恒胜泰科技有限公司
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  • 苏州新电元半导体有限公司
  • 李丽
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  • GA100TS60SF
  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司
  • 朱小姐
    0755-83210909
  • IR
  • 100A600V
  • 12+
  • 120
  • GA100TS60SF
  • 深圳市汇驰丰科技有限公司
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    086-0755-83267930
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  • GA100TS60SF
  • 壹诺半导体(深圳)有限公司
  • 吴先生/张小姐
    0755-82709129
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  • 原厂原封装
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