GA200HS60S1

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GA200HS60S1参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• GA200HS60S1
• 功能描述：IGBT 模块 200 Volt 200 Amp；RoHS：否；制造商：Infineon Technologies；产品：IGBT Silicon Modules；配置：Dual；集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V；集电极—射极饱和电压：1.95 V；在25 C的连续集电极电流：230 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：445 W；最大工作温度：+ 125 C；封装 / 箱体：34MM；封装：；

GA200HS60S1供应商

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• GA200HS60S1PBF
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
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• 200A/600V/IGBT/2U
• 15+
• 250

• GA200HS60S1PBF
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• 深圳市腾翔顺科技有限公司
• 张小姐
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• 深圳市富芯瑞科技有限公司
• 曾顺杰
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• 原装封装
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• 5000

• GA200HS60S1
• 深圳市恒胜泰科技有限公司
• 林先生/林小姐
  0755-82521107
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• 200A/600V/IGBT/2U
• 新年份
• 170

• GA200HS60S1
• 苏州新电元半导体有限公司
• 李丽
  0512-50325666
• IR
• 标准封装
• 14+
• 1640

• GA200HS60S1
• 深圳市毅创腾电子科技有限公司
• 朱小姐
  0755-83210909
• IR
• 200A600V
• 12+
• 595

• GA200HS60S1
• 深圳市汇驰丰科技有限公司
• hcf01
  086-0755-83267930
• IR
• MODULE
• 10+
• 60