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GB30RF60K中文资料

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GB30RF60K参数资料

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  • GB30RF60K
  • 功能描述:IGBT 模块 50 Amp 600 Volt Non-Punch Through;RoHS:否;制造商:Infineon Technologies;产品:IGBT Silicon Modules;配置:Dual;集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V;集电极—射极饱和电压:1.95 V;在25 C的连续集电极电流:230 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:445 W;最大工作温度:+ 125 C;封装 / 箱体:34MM;封装:;

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  • 深圳市恒佳微电子有限公司
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    0755-82710336
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  • 苏州新电元半导体有限公司
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司
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    0755-83210909
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  • 30A600VI
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  • 120
  • GB30RF60K
  • 深圳市汇驰丰科技有限公司
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    086-0755-83267930
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  • GB30RF60K
  • 深圳旭亨半导体有限公司
  • 张小姐(只做原装正品)
    0755-23618143
  • IR
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  • 4500
  • GB30RF60K
  • 深圳市卓一科技有限公司二部
  • 赵生(只做原装)
    0755-83979123(只做原装)
  • 模块代理
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