HZL6.2Z4

HZL6.2Z4中文资料

• 电子元器件
• 中文功能描述
• 生产厂商
• 品牌LOGO
• 页数
• 文件大小
• PDF文件

• HZL6.2Z4
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 5 Pages
• 81.60 Kbytes

• HZL6.8Z4
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 5 Pages
• 81.60 Kbytes

• HZM
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• HITACHI
  Hitachi Semiconductor
• 
• 10 Pages
• 37.01 Kbytes

• HZM-N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM-N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• HITACHI
  Hitachi Semiconductor
• 
• 10 Pages
• 37.01 Kbytes

• HZM-N_11
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 7 Pages
• 92.21 Kbytes

• HZM10N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM10N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM10N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• HITACHI
  Hitachi Semiconductor
• 
• 10 Pages
• 37.01 Kbytes

• HZM10N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 7 Pages
• 92.21 Kbytes

• HZM10N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 10 Pages
• 210.10 Kbytes

• HZM10NB
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes
• PDF文件

• HZM10NB
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes
• PDF文件

• HZM10NB1
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM10NB1
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM10NB2
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM10NB2
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM10NB3
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM10NB3
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM11N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM11N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM11N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• HITACHI
  Hitachi Semiconductor
• 
• 10 Pages
• 37.01 Kbytes

• HZM11N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 7 Pages
• 92.21 Kbytes

• HZM11N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 10 Pages
• 210.10 Kbytes

• HZM11NB
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM11NB
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM11NB1
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM11NB1
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM11NB2
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM11NB2
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM11NB3
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM11NB3
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM12N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM12N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM12N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• HITACHI
  Hitachi Semiconductor
• 
• 10 Pages
• 37.01 Kbytes

• HZM12N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 7 Pages
• 92.21 Kbytes

• HZM12N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 10 Pages
• 210.10 Kbytes

• HZM12NB
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM12NB
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM12NB1
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM12NB1
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM12NB2
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM12NB2
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM12NB3
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM12NB3
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM13N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM13N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 8 Pages
• 193.81 Kbytes

• HZM13N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• HITACHI
  Hitachi Semiconductor
• 
• 10 Pages
• 37.01 Kbytes

• HZM13N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 7 Pages
• 92.21 Kbytes

• HZM13N
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
• 
• 10 Pages
• 210.10 Kbytes

HZL6.2Z4参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• HZL6.2Z4
• 制造商：RENESAS；制造商全称：Renesas Technology Corp；功能描述：Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorb；

HZL6.2Z4供应商

• 电子元器件
• 供应商
• 联系方式
• 品牌
• 封装
• 批号
• 数量

• HZL6.2Z4KRF-E
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 雷春艳
  19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
• Renesas
• ROHS
• 1324+
• 4600

• HZL6.2Z4
• 深圳市汇驰丰科技有限公司
• hcf01
  086-0755-83267930
• RENESAS
• XX
• 12+
• 10000

• HZL6.2Z4
• 深圳市正纳电子有限公司
• 杨先生█正纳原装正品█
  15986777949
• RENESAS
• XX
• 14+█ROHS诚信口碑正纳█
• 11290

• HZL6.2Z4
• 北京鼎帆伟业科技有限公司
• 田先生
  010-62967982
• RENESAS
• RENESAS经销商
• 2015
• 2035

• HZL6.2Z4KRF-E
• 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
• 朱先生
  ０７５５-８２８１２００４82811605
• Renesas
• SMD
• 12+
• 18000

• HZL6.2Z4KRF-E
• 北京远洋华创科技有限公司
• 杨经理
  010-82533545
• 原厂
• 原厂封装
• 13+
• 17961

• HZL6.2Z4KRF-E
• 泰连在线科技有限公司
• 王小姐 18988763178
  0755-83047629
• Renesas Electronics America
• N/A
• 13+
• 94193

• HZL6.2Z4KRF-E
• 深圳市金狮鼎科技有限公司
• 陈小姐/郑小姐
  13725526089
• Renesas Electronics America
• DIODE ZENER 100MW 6.2V EFP
• 13+
• 5690

• HZL6.2Z4KRF-E
• mmic_stock
• vivi
  -
• Renesas Electronics America
• 2-SMD，扁平引线
• 12+
• 10000