HZU6.2G

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• HZU6.2G
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
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• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
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• HZU6.8
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
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• HZU6.8G
• 硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
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• I01-0070-01-00
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HZU6.2G参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• HZU6.2G
• 制造商：RENESAS；制造商全称：Renesas Technology Corp；功能描述：Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorption；

HZU6.2G供应商

• 电子元器件
• 供应商
• 联系方式
• 品牌
• 封装
• 批号
• 数量

• HZU6.2G
• 深圳市深创辉科技有限公司
• 徐小姐
  13714450367
• Renesas
• URP
• 14+
• 672200

• HZU6.2G
• 深圳市中联芯电子有限公司
• 张生/陈小姐（ 可开13% 增值税发票）
  0755-82725103
• Renesas
• URP
• 2014+PB
• 16000

• HZU6.2G
• 深圳旭亨半导体有限公司
• 苏小姐 ★原厂授权经销商★ 只做原装正★
  0755-88853678
• Renesas
• 2013PB
• 14+
• 80000

• HZU6.2G
• 深圳市诚中源科技有限公司
• 高
  0755-28484646
• AD
• SOT-153
• 14+
• 1011

• HZU6.2G
• 北京鼎帆伟业科技有限公司
• 田先生
  010-62967982
• RENESAS
• RENESAS经销商
• 2015
• 5230

• HZU6.2G
• 深圳市希普诚电子科技有限公司
• 叶先生/李小姐
  0755-88914419
• Renesas
• 原厂封装
• 15+
• 28700

• HZU6.2G
• 深圳市铭泽达科技有限公司
• mzddz02
  0755-82796196
• Renesas
• URP
• 14+
• 16000

• HZU6.2G
• 深圳市德洲伟业科技有限公司
• 蔡小姐
  18620307545
• Renesas
• URP
• 14+
• 16000

• HZU6.2G
• 深圳市廊宇达科技有限公司
• 李小姐
  0755-83213248
• Renesas
• URP
• 2014+PB
• 210800

• HZU6.2G
• 深圳宝佳创电子有限公司
• 林炯佳
  0755-33133943
• HITACHI
• SOD323
• 13+
• 552300