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>> IDH09G65C5_12(THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。)
IDH09G65C5_12中文资料
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IDH09G65C5_12
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
INFINEON
Infineon Technologies AG
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IDH09SG60C
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
INFINEON
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IDH10G65C5
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
INFINEON
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THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
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IDH10S120
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INFINEON
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IDH12G65C5
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IDH15S120
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IDH16G65C5
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
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IDH16G65C5_12
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
INFINEON
Infineon Technologies AG
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IDH16S60C
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INFINEON
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IDH20G65C5
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
INFINEON
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IDH20G65C5_12
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
INFINEON
Infineon Technologies AG
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IDK-1107W
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
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IDK-1107WR-40WVA1E
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
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IDK-1107WR-50WSA1E
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
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IDK-1108R
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IDK-1108R-45SVA1E
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IDK-1110R
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IDK-1110R-23SVA1E
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IDK-1110WR-55WSA1E
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IDK-1112R
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
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IDK-1112R-45SVA1E
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IDK-1115P
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IDK-1115P-40XGC1E
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IDK-1115R
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IDK-1115R-40XGC1E
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IDK-1119R
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IDK-1119R-35SXA1E
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IDK-2108
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IDK-2108N-K2SVA2E
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
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IDK-2112
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IDK-2112N-K2SVA2E
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IDK-2115N-K2XGA1E
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IDK-2115N-K2XGC1E
THINQ!一个¢5代代表英飞凌领先的技术优势为SiC肖特基势垒二极管。
ADVANTECH
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IDK-2115R-K2XGA1E
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IDK-2117N-K2SXA1E
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IDK-2119
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IDH09G65C5_12参数资料
电子元器件
参数资料
IDH09G65C5_12
制造商:INFINEON;制造商全称:Infineon Technologies AG;功能描述:ThinQ!a?¢ Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.;
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