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IDT70T3599S200BC中文资料
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HIGH-SPEED2.5V一百二十八分之二百五十六/64K×36同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM
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HIGH-SPEED2.5V一百二十八分之二百五十六/64K×36同步双端口静态3.3V或2.5V接口RAM
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IDT70T3599S200BC参数资料
电子元器件
参数资料
IDT70T3599S200BC
功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA;RoHS:否;类别:集成电路 (IC) >> 存储器;系列:-;标准包装:3,000;系列:-;格式 - 存储器:EEPROMs - 串行;存储器类型:EEPROM;存储容量:8K (1K x 8);速度:400kHz;接口:I²C,2 线串口;电源电压:1.7 V ~ 5.5 V;工作温度:-40°C ~ 85°C;封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);供应商设备封装:8-SOIC;包装:带卷 (TR);
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